自考《計算機組成原理》基本概念第三章

1、 RAM：隨機訪問存儲器，能夠快速方便的訪問地址中的內(nèi)容，訪問的速度與存儲位置無關(guān)。

2、 ROM：只讀存儲器，一種只能讀取數(shù)據(jù)不能寫入數(shù)據(jù)的存儲器。

3、 SRAM：靜態(tài)隨機訪問存儲器，采用雙穩(wěn)態(tài)電路存儲信息。

4、 DRAM：動態(tài)隨機訪問存儲器，利用電容電荷存儲信息。

5、 EDO DRAM：增強數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機訪問存儲，采用快速頁面訪問模式并增加了一個數(shù)據(jù)鎖存器以提高數(shù)據(jù)傳輸速率。

6、 PROM：可編程的ROM，可以被用戶編程一次。

7、 EPROM：可擦寫可編程的ROM，可以被用戶編程多次?？孔贤饩€激發(fā)浮置柵上的電荷以達到擦除的目的。

8、 EEPROM：電可擦寫可編程的ROM，能夠用電子的方法擦除其中的內(nèi)容。

9、 SDRAM：同步型動態(tài)隨機訪問存儲器，在系統(tǒng)時鐘控制下進行數(shù)據(jù)的讀寫。

10、 快閃存儲器：一種非揮發(fā)性存儲器，與EEPROM類似，能夠用電子的方法擦除其中的內(nèi)容。

11、 相聯(lián)存儲器：一種按內(nèi)容訪問的存儲器，每個存儲單元有匹配電路，可用于是cache中查找數(shù)據(jù)。

12、 多體交叉存儲器：由多個相互獨立、容量相同的存儲體構(gòu)成的存儲器，每個存儲體獨立工作，讀寫操作重疊進行。

13、 訪存局部性：CPU的一種存特性，對存儲空間的90%的訪問局限于存儲空間的10%的區(qū)域中，而另外10%的訪問則分布在90%的區(qū)域中。

14、 直接映象：cache的一種地址映象方式，一個主存塊只能映象到cache中的唯一一個指定塊。

15、 全相聯(lián)映象：cache的一種地址映象方式，一個主存塊可映象到任何cache塊。

16、 組相聯(lián)映象：cache的一種地址映象方式，將存儲空間分成若干組，各組之間用直接映象，組內(nèi)各塊之間用全相聯(lián)映象。

17、 全寫法（寫直達法）：cache命中時的一種更新策略，寫操作時將數(shù)據(jù)既寫入cache又寫入主存，但塊更時不需要將調(diào)出的塊寫回主存。

18、 寫回法：cache命中時的一種更新策略，寫cache時不寫主存，而當(dāng)cache數(shù)據(jù)被替換出去時才寫回主存。

19、 按寫分配：cache不命中時的一種更新策略，寫操作時把對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊從主存調(diào)入cache.

20、 不按寫分配：cache不命中時的一種更新策略，寫操作時該地址的數(shù)據(jù)塊不從主存調(diào)入cache.

一般寫回法采用按寫分配法，寫直達法則采用不按寫分配法。

21、 虛擬存儲器：在內(nèi)存與外存間建立的層次體系，使得程序能夠像訪問主存儲器一樣訪問外部存儲器，主要用于解決計算機中主存儲器的容量問題。

22、 層次化存儲體系：把各種不同存儲容量、不同訪問速度、不同成本的存儲器件按層次構(gòu)成多層的存儲器，并通過軟硬件的管理將其組成統(tǒng)一的整體，使所存儲的程序和數(shù)據(jù)按層次分布在各種存儲器件中。

23、 訪問時間：從啟動訪問存儲器操作到操作完成的時間。

24、 訪問周期時間：從一次訪問存儲的操作到操作完成后可啟動下一次操作的時間。

25、 帶寬：存儲器在連續(xù)訪問時的數(shù)據(jù)吞吐率。

26、 段式管理：一種虛擬存儲器的管理方式，把虛擬存儲空間分成段，段的長度可以任意設(shè)定，并可以放大或縮小。

27、 頁式管理：一種虛擬存儲器的管理方式，把虛擬存儲空間和實際存儲空間等分成固定容量的頁，需要是裝入內(nèi)存，各頁可裝入主存中不同的實際頁面位置。

28、 段頁式管理：一種虛擬存儲器的管理方式，將存儲空間邏輯模塊分成段，每段又分成若干頁。

29、 塊表：主存-cache地址映像機制，由查塊表判定主存地址的存儲單元是否在cache中以及在cache中的位置。

30、 頁表：頁式虛擬存儲器管理用的地址映象表，其中包括每個頁的主存頁號、裝入位和訪問方式等。

31、 段表：段式虛擬存儲器管理用的地址映象表，其中包括每個段的基地址、段長、裝入位和訪問方式等。

32、 固件：固化在硬件中的固定不變的常用軟件。

一、 地址譯碼的方式

有：單譯碼方式和雙譯碼方式（行選通線又稱字選通線，列選通線又稱為位選通線）

在單譯碼方式中的存儲器中只用一個譯碼電路，將所有的地址信號轉(zhuǎn)換成行選通信號，一一行內(nèi)的各存儲單元構(gòu)成一個數(shù)據(jù)字的存儲位置，適合于小容量的存儲器芯片。

在雙譯碼方式中，采用兩個地址譯碼器，輸入的地址信號分成兩部分送到兩個譯碼器中，分別產(chǎn)生行選通信號和列選通信號，行選取通和列選通都有效的存儲單元被選中。這種存儲器芯片將一個數(shù)據(jù)字的同一位組織在一個陣列中，在多位的存儲器芯片中就有多個這樣的陣列，適合于容量較大的存儲器芯片。

二、 提高存儲器工作速度的技術(shù)主要有芯片技術(shù)和結(jié)構(gòu)技術(shù)

芯片技術(shù)：（1）快速頁式動態(tài)存儲器（FPM DRAM）存儲器的下一次訪問可以利用上一次訪問的行地址，這樣就可以減少兩次輸入地址帶來的訪問延遲。（2）增強數(shù)據(jù)輸出存儲器（EDO DRAM）與FPM DRAM相似，增加了一個數(shù)據(jù)鎖存器，并采用不同的控制邏輯連接到芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路中以提高數(shù)據(jù)傳輸速率。（3）同步型動態(tài)存儲器芯片（SDRAM），芯片在系統(tǒng)時鐘控制下進行數(shù)據(jù)的讀出與寫入。（4）相聯(lián)存儲器是一種按內(nèi)容訪問的存儲器，每個存儲單元有匹配電路，可用于cache中查找數(shù)據(jù)，整個存儲器陣列同時進行數(shù)據(jù)的匹配操作。